2SK3313

更新时间： 2024-11-18 22:52:55

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体转换器稳压器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲电机驱动局域网
页数	文件大小	规格书
7页	263K
描述
Chopper Regulator, DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3313 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-67	包装说明：	2-10R1B, SC-67, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	324 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.62 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3313 数据手册

2SK3313

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)

2SK3313

Chopper Regulator, DC−DC Converter Applications

Motor Drive Applications

Unit: mm

l Fast reverse recovery time

: t = 90 ns (typ.)

l Built−in high−speed free−wheeling diode

l Low drain−source ON resistance

l High forward transfer admittance

: R = 0.5 Ω (typ.)

DS (ON)

: |Y | = 8.5 S (typ.)

l Low leakage current

l Enhancement−mode

: I

= 100 µA (max) (V

th DS

= 500 V)

= 10 V, I = 1 mA)

DSS

: V = 2.0~4.0 V (V

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain−source voltage

500

±30

DSS

Drain−gate voltage (R

= 20 kΩ)

DGR

Gate−source voltage

GSS

DC (Note 1)

Pulse (Note 1)

Drain current

JEDEC

JEITA

—

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single pulse avalanche energy

SC-67

2-10R1B

324

(Note 2)

TOSHIBA

Avalanche current

4.0

Weight: 1.9 g (typ.)

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

150

Storage temperature range

−55~150

stg

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

3.125

62.5

Unit

Thermal resistance, channel to case

°C / W

th (ch−c)

th (ch−a)

Thermal resistance, channel to

ambient

Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.

Note 2: V = 90 V, T = 25°C (initial), L = 3.83 mH, R = 25 Ω, I = 12 A

DD ch

Note 3: Repetitive rating; Pulse width limited by maximum channel temperature.

This transistor is an electrostatic sensitive device.

Please handle with caution.

2002-09-02

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与2SK3313相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3313_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulatorand DC−DC Converter Applications Motor D
2SK3313_10	TOSHIBA	获取价格	Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications
2SK3314	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PI−MOSV)
2SK3314(Q)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET N-CH 500V 15A 2-16C1B
2SK3314_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications Motor
2SK3314_10	TOSHIBA	获取价格	Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications
2SK3316	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
2SK3316_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications
2SK3318	PANASONIC	获取价格	Silicon N-channel power MOSFET
2SK331A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 300UA I(DSS) \| SO

与2SK3313相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3313

2SK3313 技术参数

2SK3313 数据手册

与2SK3313相关器件

与2SK3313相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3313

2SK3313 技术参数

2SK3313 数据手册

与2SK3313相关器件

与2SK3313相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？