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2SK3314

更新时间： 2024-11-19 22:52:55
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 257K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PI−MOSV)

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2SK3314 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.32雪崩能效等级（Eas）：630 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.49 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3314 数据手册

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2SK3314  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)  
2SK3314  
Chopper Regulator, DC−DC Converter Applications  
Motor Drive Applications  
Unit: mm  
l Fast reverse recovery time  
: t = 105 ns (typ.)  
rr  
l Built−in high−speed free−wheeling diode  
l Low drain−source ON resistance  
l High forward transfer admittance  
: R = 0.35 Ω (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 9.9 S (typ.)  
fs  
l Low leakage current  
l Enhancement−mode  
: I  
= 100 µA (max) (V  
th DS  
= 500 V)  
= 10 V, I = 1 mA)  
DSS  
DS  
: V = 2.0~4.0 V (V  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain−source voltage  
V
500  
500  
±30  
15  
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
Gate−source voltage  
V
V
GSS  
1. GATE  
2. DRAIN (HEAT SINK)  
3. SOURCE  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
I
60  
A
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
150  
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Single pulse avalanche energy  
E
630  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
15  
15  
A
TOSHIBA  
2-16C1B  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 4.6 g (typ.)  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
0.833  
50  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C (initial), L = 4.76 mH, R = 25 Ω, I = 15 A  
DD ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating; Pulse width limited by maximum channel temperature.  
This transistor is an electrostatic sensitive device.  
Please handle with caution.  
1
2002-01-25  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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