2SK3306

更新时间： 2024-11-16 22:52:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	71K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3306 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3306 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3306

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SK3306 is N-Channel DMOS FET device that features

a low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power

supply, AC adapter.

PART NUMBER

2SK3306

PACKAGE

Isolated TO-220 (MP-45F)

(Isolated TO-220)

FEATURES

• Low gate charge :

★

Q = 13 nC TYP. (V = 400 V, V = 10 V, I = 5.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Low on-state resistance :

DS(on)

= 1.5 Ω MAX. (V = 10 V, I = 2.5 A)

• Avalanche capability ratings

• Isolated TO-220(MP-45F) package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

500

±30

GSS(AC)

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

D(DC)

Drain Current (DC)

±5

Drain Current (pulse) ^Note1

D(pulse)

±20

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Total Power Dissipation (T = 25°C)

2.0

Channel Temperature

150

stg

Storage Temperature

–55 to +150

5.0

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

125

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 150 V, R^G= 25Ω, V^GS= 20 V → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published January 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14004EJ2V0DS00 (2nd edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与2SK3306相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3306-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3306B-S17-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3307	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3307-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3309	TOSHIBA	获取价格	Switching Regulator Applications
2SK3309(2-10S1B)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 10 A, 450 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S1B, 3 PIN, FET Genera
2SK3309_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications
2SK330BL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 6MA I(DSS) \| SPAK
2SK330-BL	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1B, 3 PIN, FET General Purpose Small Sig
2SK330GR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 2.6MA I(DSS) \| SPAK

与2SK3306相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3306

2SK3306 技术参数

2SK3306 数据手册

与2SK3306相关器件

与2SK3306相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3306

2SK3306 技术参数

2SK3306 数据手册

与2SK3306相关器件

与2SK3306相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？