2SK3297

更新时间： 2024-11-04 21:58:51

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	68K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2SK3297 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	16.7 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3297 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3297

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3297 is N-channel DMOS FET device that features a

low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power

supply, AC adapter.

PART NUMBER

2SK3297

PACKAGE

Isolated TO-220

(Isolated TO-220)

FEATURES

•Low gate charge

Q^G= 18 nC TYP. (V^DD= 450 V, V^GS= 10 V, I^D= 5.0 A)

•Gate voltage rating ±30 V

•Low on-state resistance

R^DS(ON)= 1.6 Ω MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 2.5 V)

•Avalanche capability ratings

•Isolated TO-220 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current(DC) (T^C= 25°C)

Drain Current(pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

600

±30

±5.0

±20

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

2.0

°C

P^T2

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

5.0

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

16.7

Notes1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 150 V, R^G= 25 Ω , V^GS= 20 →0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D14058EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 2000 NS CP (K)

Printed in Japan

1999, 2000

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3297相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3297-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3298	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3298B	RENESAS	获取价格	2SK3298B
2SK3298B-AY	RENESAS	获取价格	2SK3298B-AY
2SK3298B-S17-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3299	TYSEMI	获取价格	Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)
2SK3299	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3299	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3299-AZ	RENESAS	获取价格	Switching N-Channel Power Mosfet, MP-25, /Bag
2SK3299-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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