2SK3297-AZ

更新时间： 2024-11-05 13:04:27

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	68K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SK3297-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.38	雪崩能效等级（Eas）：	16.7 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3297-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3297

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3297 is N-channel DMOS FET device that features a

low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power

supply, AC adapter.

PART NUMBER

2SK3297

PACKAGE

Isolated TO-220

(Isolated TO-220)

FEATURES

•Low gate charge

Q^G= 18 nC TYP. (V^DD= 450 V, V^GS= 10 V, I^D= 5.0 A)

•Gate voltage rating ±30 V

•Low on-state resistance

R^DS(ON)= 1.6 Ω MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 2.5 V)

•Avalanche capability ratings

•Isolated TO-220 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current(DC) (T^C= 25°C)

Drain Current(pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

600

±30

±5.0

±20

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

2.0

°C

P^T2

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

5.0

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

16.7

Notes1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 150 V, R^G= 25 Ω , V^GS= 20 →0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D14058EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 2000 NS CP (K)

Printed in Japan

1999, 2000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3298	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3298B	RENESAS	获取价格	2SK3298B
2SK3298B-AY	RENESAS	获取价格	2SK3298B-AY
2SK3298B-S17-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3299	TYSEMI	获取价格	Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)
2SK3299	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3299	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3299-AZ	RENESAS	获取价格	Switching N-Channel Power Mosfet, MP-25, /Bag
2SK3299-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3299-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3299-S-AZ

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