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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.91 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.019 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3296-ZK-E1-AY | RENESAS |
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2SK3296-ZK-E1-AY |
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| 2SK3297 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SK3297-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK3298 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3298B | RENESAS |
获取价格 |
2SK3298B |
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| 2SK3298B-AY | RENESAS |
获取价格 |
2SK3298B-AY |
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| 2SK3298B-S17-AY | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK3299 | TYSEMI |
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Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A) |
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| 2SK3299 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3299 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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