2SK3295-ZK

更新时间： 2024-09-27 22:19:15

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	73K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE

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2SK3295-ZK 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.92	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3295-ZK 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3295

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3295

PACKAGE

TO-220AB

The 2SK3295 is N-Channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

designed for low voltage high current applications such as

DC/DC converter with synchronous rectifier.

2SK3295-S

2SK3295-ZK

2SK3295-ZJ

TO-262

TO-263(MP-25ZK)

TO-263(MP-25ZJ)

FEATURES

• 4.5 V drive available

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 18 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 18 A)

• Low gate charge

Q^G= 16 nC TYP. (I^D= 35 A, V^DD= 16 V, V^GS= 10 V)

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (Pulse) ^Note

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±20

±35

±140

1.5

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T2

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Note PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D14064EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2001 NS CP(K)

The mark ! shows major revised points.

1999, 2000

Printed in Japan

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3295-ZK-E1-AY	RENESAS	获取价格	2SK3295-ZK-E1-AY
2SK3296	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3296	TYSEMI	获取价格	4.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 12m MAX. (VGS= 10 V, ID = 18 A)
2SK3296	RENESAS	获取价格	35A, 20V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SK3296	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3296-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3296-S	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3296-S	RENESAS	获取价格	35A, 20V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
2SK3296-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3296-S-AZ
2SK3296-Z	RENESAS	获取价格	2SK3296-Z

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