2SK3294-ZJ

更新时间： 2024-11-15 22:36:11

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3294-ZJ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.81	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3294-ZJ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3294

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3294 is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

and designed for high voltage applications such as DC/DC

converter, actuator driver.

PART NUMBER

2SK3294

PACKAGE

TO-220AB

2SK3294-S

2SK3294-ZJ

TO-262

TO-263(MP-25ZJ)

FEATURES

• Gate voltage rating ±30 V

• Low on-state resistance

(TO-220AB)

^DS(on)= 160 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I

• Low input capacitance

^iss= 1500 pF TYP. (V^DS= 10 V, V^GS= 0 V)

= 10 A)

• Avalanche capability rated

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

(TO-262)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

DSS

250

±30

VGSS

Drain Current (DC) (T

= 25°C)

D(DC)

±20

Drain Current (Pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T

Channel Temperature

D(pulse)

±60

= 25°C)

100

°C

1.5

150

(TO-263)

Storage Temperature

stg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

150

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 150 V, R = 25 Ω, V^GS= 20 V→0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D14061EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 2001 NS CP (K)

1999,2001

Printed in Japan

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3294-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3294-ZJ-AZ
2SK3295	TYSEMI	获取价格	4.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 18 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)
2SK3295	RENESAS	获取价格	35A, 20V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SK3295	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE
2SK3295	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3295-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3295-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE
2SK3295-S	RENESAS	获取价格	35A, 20V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
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