5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3294-ZJ-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3294-ZJ-AZ |
|
| 2SK3295 | TYSEMI |
获取价格 |
4.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 18 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) |
|
| 2SK3295 | RENESAS |
获取价格 |
35A, 20V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN |
|
| 2SK3295 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK3295 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
|
| 2SK3295-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK3295-S | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK3295-S | RENESAS |
获取价格 |
35A, 20V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN |
|
| 2SK3295-ZJ | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK3295-ZK | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
