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2SK2316

更新时间： 2024-01-24 14:14:07
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 147K
描述
Ultrahigh-Speed Switching Applications

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2SK2316 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.32 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-243
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：3.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2316 数据手册

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Ordering number : EN5300A  
N-Channel Silicon MOSFET  
2SK2316  
Ultrahigh-Speed Switching Applications  
Features  
• Low ON resistance.  
Package Dimensions  
unit: mm  
• Ultrahigh-speed switching.  
2062A-PCP  
• Low-voltage drive (2.5V drive).  
[2SK2316]  
1 : Gate  
2 : Drain  
3 : Source  
SANYO: PCP  
Bottom View)  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
20  
±10  
2
DSS  
GSS  
V
I
D
I
A
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
PW≤10µd, duty cycle≤1%  
Mounted on ceramic board  
(250mm2×0.8mm)  
8
A
DP  
P
1.5  
W
D
Tc=25°C  
3.5  
W
°C  
°C  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Tch  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
20  
typ  
max  
D-S Breakdown Voltage  
G-S Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage  
Drain Current  
V
V
I =1mA, V =0  
GS  
V
V
(BR)DSS  
(BR)GSS  
DSS  
D
I =±100µA, V =0  
±10  
G
DS  
I
V
=16V, V =0  
GS  
100  
µA  
DS  
Gate-to-Source Leakage Current I  
V
V
V
=±8V, V =0  
DS  
±10  
1.5  
µA  
V
GSS  
GS  
DS  
DS  
Cutoff Voltage  
V
=10V, I =1mA  
0.5  
1.8  
GS(off)  
D
Forward Transfer Admittance  
Static Drain-to-Source  
ON-State Resistance  
Input Capacitance  
y
=10V, I =1A  
2.8  
140  
200  
170  
145  
50  
S
fs  
D
R
R
I =1A, V =4V  
D
I =1A, V =2.5V  
D
V
200  
320  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
DS(on)  
GS  
DS(on)  
GS  
Ciss  
Coss  
Crss  
=10V, f=1MHz  
DS  
DS  
DS  
Output Capacitance  
V
V
=10V, f=1MHz  
=10V, f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Continued on next page.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110 JAPAN  
11697YK (KOTO) TA-0121 No.5300-1/4  
1234

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