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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2318 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2319 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 7 A, 800 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2320 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8.5 A, 800 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2321 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-263 |
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| 2SK2322(L) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.05ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2322(S) | RENESAS |
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0.05ohm, POWER, FET |
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| 2SK2322(S)TL | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2322(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2322LL | RENESAS |
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15A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK2324 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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