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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.038 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2319 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 7 A, 800 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2320 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8.5 A, 800 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2321 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-263 |
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| 2SK2322(L) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.05ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2322(S) | RENESAS |
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0.05ohm, POWER, FET |
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| 2SK2322(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2322(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK2322LL | RENESAS |
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15A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK2324 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| 2SK2325 | ETC |
获取价格 |
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