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2SK1070PIETR-E

更新时间： 2024-11-28 13:04:27

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	58K
描述
50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3

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2SK1070PIETR-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.05 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1070PIETR-E 数据手册

2SK1070

Silicon N-Channel Junction FET

REJ03G0574-0200

(Previous ADE-208-1175 (Z))

Rev.2.00

Mar.14.2005

Application

•

Low frequency / High frequency amplifier

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Drain

2. Source

3. Gate

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Gate to drain voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_GDO

V_GSO

I_D

Ratings

–22

Unit

–22

°C

Gate current

I_G

Channel power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Pch

Tch

150

Tstg

–55 to +150

°C

Rev.2.00, Mar.14.2005, page 1 of 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1070PIETR-H	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,27MA I(DSS),SOT-23VAR
2SK1070PIEUR	RENESAS	获取价格	50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3
2SK1078	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
2SK1078TE12L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, POWER, MINI PACKAGE-3, FET G
2SK1079	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 600MA I(D) \| TO-243
2SK1081	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-247
2SK1081-01	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK1081-01	NJSEMI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK108-11-C	MITSUBISHI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK108-11-D	MITSUBISHI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction