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2SK1070PIETL-E

更新时间: 2024-11-26 06:24:31
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
5页 58K
描述
Silicon N-Channel Junction FET

2SK1070PIETL-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-50A
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.19配置:SINGLE
最大漏极电流 (ID):0.05 AFET 技术:JUNCTION
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1070PIETL-E 数据手册

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2SK1070  
Silicon N-Channel Junction FET  
REJ03G0574-0200  
(Previous ADE-208-1175 (Z))  
Rev.2.00  
Mar.14.2005  
Application  
Low frequency / High frequency amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A  
(Package name: MPAK)  
3
1
1. Drain  
2. Source  
3. Gate  
2
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Symbol  
VGDO  
VGSO  
ID  
Ratings  
–22  
Unit  
V
V
–22  
50  
mA  
mA  
mW  
°C  
Gate current  
IG  
10  
Channel power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Pch  
Tch  
150  
150  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
Rev.2.00, Mar.14.2005, page 1 of 4  

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