Datasheet > 2SJ607-S-AZ

2SJ607-S-AZ

更新时间： 2024-09-15 20:08:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	78K
描述
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ607-S-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	83 A	最大漏源导通电阻：	0.016 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ607-S-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ607

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SJ607 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

PART NUMBER

2SJ607

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SJ607-S

FEATURES

2SJ607-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 11 mΩ MAX. (V^GS= −10 V, I^D= −42 A)

R^DS(on)2= 16 mΩ MAX. (V^GS= −4.0 V, I^D= −42 A)

• Low input capacitance:

Note

TO-220SMD

2SJ607-Z

Note TO-220SMD package is produced only in

Japan

C^iss= 7500 pF TYP. (V^DS= −10 V, V^GS= 0 V)

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

−60

332

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

160

P^T

1.5

150

(TO-262)

Tch

°C

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note2

Tstg

−55 to +150

−50

I^AS

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

250

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= −30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= −20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14655EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark ★ shows major revised points.

2000, 2001

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与2SJ607-S-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ607-Z	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ607-Z-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SJ607-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Pch Single Power Mosfet -60V -83A 0.011Mohm Mp-25Z/To-220Smd, MP-25Z, /Embossed Tape
2SJ607-ZJ	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ607-ZJ	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
2SJ607-ZJ-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2SJ607-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ607-ZJ-E2-AZ
2SJ608	SANYO	获取价格	Ultrahigh Speed Switching Applications
2SJ609	SANYO	获取价格	DC / DC Converter Applications
2SJ610	TOSHIBA	获取价格	Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

与2SJ607-S-AZ相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

4
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

4
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ607-S-AZ

2SJ607-S-AZ 技术参数

2SJ607-S-AZ 数据手册

与2SJ607-S-AZ相关器件

与2SJ607-S-AZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ607-S-AZ

2SJ607-S-AZ 技术参数

2SJ607-S-AZ 数据手册

与2SJ607-S-AZ相关器件

与2SJ607-S-AZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？