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2SJ618

更新时间： 2024-09-15 06:19:07
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器晶体管功率场效应晶体管脉冲功率放大器局域网
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5页 145K
描述
High-Power Amplifier Applications

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2SJ618 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-67
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：180 V最大漏极电流 (ID)：10 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ618 数据手册

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2SJ618  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(π-MOSⅤ)  
2SJ618  
High-Power Amplifier Applications  
Unit: mm  
15.9 MAX.  
Ф3.2 ± 0.2  
•
•
High breakdown voltage: V  
= −180 V  
DSS  
Complementary to 2SK3497  
2.0 ± 0.3  
＋0.3  
1.0  
－0.25  
5.45 ± 0.2  
5.45 ± 0.2  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
1
2
3
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
DC  
Pulse  
V
−180  
±20  
V
V
1. GATE  
DSS  
2. DRAIN (HEAT SINK)  
3. SOURCE  
V
GSS  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
−10  
A
D
Drain current  
I
−30  
A
DP  
JEDEC  
JEITA  
⎯
Power dissipation (Tc = 25°C)  
Channel temperature  
P
130  
W
°C  
°C  
D
ch  
stg  
SC-67  
2-16C1B  
T
150  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
Weight: 4.6 g (typ.)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change  
in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
0.96  
50  
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
R
th (ch−a)  
1
3
1
2009-09-29  
12345

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