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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 零件包装代码： | SC-64 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.55 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ610(2-7B1B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2 A, 250 V, 2.55 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET G |
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| 2SJ610(2-7J1B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2 A, 250 V, 2.55 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7J1B, SC-64, 3 PIN, FET G |
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| 2SJ610_06 | TOSHIBA |
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Silicon P-Channel MOS Type Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applicatio |
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| 2SJ610_09 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type |
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| 2SJ612 | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ613 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ615 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ616 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ618 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Power Amplifier Applications |
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| 2SJ619 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2MOSV) |
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