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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SC-96 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.14 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.062 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ621-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SJ621-A | RENESAS |
获取价格 |
3500mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN |
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| 2SJ621-L-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,3.5A I(D),SOT-346 |
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| 2SJ621-T1B-A | RENESAS |
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Pch Single Power Mosfet -12V -3.5A 44Mohm Tmm/Sc-96, TMM, /Embossed Tape |
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| 2SJ621-T2B | RENESAS |
获取价格 |
2SJ621-T2B |
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| 2SJ624 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ624 | RENESAS |
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4500mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-96, 3 PIN |
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| 2SJ624-A | RENESAS |
获取价格 |
4500mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-96, 3 PIN |
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| 2SJ624-L | RENESAS |
获取价格 |
2SJ624-L |
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| 2SJ624-L-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4.5A I(D),SOT-346 |
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