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2SJ600

更新时间： 2024-02-28 04:05:39

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
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2页	51K
描述
MOS Field Effect Transistor

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2SJ600 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AB
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.3
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.079 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ600 数据手册

SMD Type

MOSFICET

MOS Field Effect Transistor

2SJ600

Features

TO-252

Unit: mm

Low on-resistance

+0.15

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

6.50

RDS(on)1 = 50 m MAX. (VGS =-10 V, ID = -13 A)

RDS(on)2 = 79m MAX. (VGS = -4.0 V, ID =-13 A)

Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP.

Built-in gate protection diode

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

1 Gate

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

2 Drain

3 Source

+0.15

-0.15

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current (DC)

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

Unit

-60

Drain current(pulse) *

Power dissipation

TC=25

TA=25

1.0

Channel temperature

Storage temperature

Tch

150

Tstg

-55 to +150

* PW 10 s, duty cycle

1 %

www.kexin.com.cn

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