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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | TO-251, MP-3, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.16 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 36 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 230 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ601-AZ | RENESAS |
完全替代  |
Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3/TO-251 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ601(0)-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,36A I(D),TO-251VAR |
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| 2SJ601(0)-Z-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3Z/TO-252 |
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| 2SJ601(0)-Z-E1-AY | RENESAS |
获取价格 |
Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3Z/TO-252 |
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| 2SJ601-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3/TO-251 |
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| 2SJ601-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ601-Z | NEC |
获取价格 |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ601-Z | RENESAS |
获取价格 |
36000mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN |
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| 2SJ601-Z-AZ | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SJ601-Z-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ601-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3Z/TO-252 |
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