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2SJ601-Z-AZ

更新时间： 2024-11-18 20:10:51

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日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	170K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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2SJ601-Z-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AB
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.12
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.046 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ601-Z-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ601

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

PART NUMBER

PACKAGE

for solenoid, motor and lamp driver.

2SJ601

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SJ601-Z

FEATURES

• Low on-state resistance:

R^DS(on)1= 31 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –18 A)

R^DS(on)2= 46 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –18 A)

• Low input capacitance:

C^iss= 3300 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V)

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-251)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (TA = 25°C)

Channel Temperature

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

T^ch

T^stg

I^AS

–60

m20

m36

m120

1.0

°C

(TO-252)

150

–55 to +150

–35

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

123

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = –30 V, RG = 25 Ω, VGS = –20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D14646EJ4V0DS00 (4th edition)

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2000, 2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SJ601-ZK	RENESAS	获取价格	Pch Single Power Mosfet -60V -36A 31Mohm Mp-3Zk/To-252
2SJ601-ZK-E1-AY	RENESAS	获取价格	Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3ZK/TO-252
2SJ601-ZK-E2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252VAR
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2SJ602(0)-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263ABVAR

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