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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | MP-3Z | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.14 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 36 A | 最大漏源导通电阻： | 0.046 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 65 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ601-ZK | RENESAS |
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Pch Single Power Mosfet -60V -36A 31Mohm Mp-3Zk/To-252 |
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| 2SJ601-ZK-E1-AY | RENESAS |
获取价格 |
Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3ZK/TO-252 |
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| 2SJ601-ZK-E2-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ602 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ602 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SJ602 | RENESAS |
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20A, 60V, 0.107ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN |
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| 2SJ602(0)-S-AZ | RENESAS |
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2SJ602(0)-S-AZ |
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| 2SJ602(0)-Z-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SJ602(0)-Z-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263ABVAR |
|
| 2SJ602(0)-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263ABVAR |
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