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2SJ601-Z

更新时间： 2024-11-17 21:55:31

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	57K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SJ601-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AB	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.11	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.046 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ601-Z 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ601

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for solenoid, motor and lamp driver.

PART NUMBER

2SJ601

PACKAGE

TO-251

2SJ601-Z

TO-252

FEATURES

• Low on-state resistance:

R^DS(on)1= 31 mΩ MAX. (V^GS= –10 V, I^D= –18 A)

R^DS(on)2= 46 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –18 A)

• Low C^iss: C^iss= 3300 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-251)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

–60

120

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

(TO-252)

P^T

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150 °C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

–35

123

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, R^G= 25 Ω, V^GS= –20 V → 0 V

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Document No.

D14646EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

2000

12 3 4

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2SJ601-Z 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SJ601-Z	RENESAS	功能相似	36000mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
2SJ601-Z-AZ	RENESAS	功能相似	暂无描述

与2SJ601-Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ601-Z-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SJ601-Z-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ601-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3Z/TO-252
2SJ601-ZK	RENESAS	获取价格	Pch Single Power Mosfet -60V -36A 31Mohm Mp-3Zk/To-252
2SJ601-ZK-E1-AY	RENESAS	获取价格	Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3ZK/TO-252
2SJ601-ZK-E2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252VAR
2SJ602	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ602	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SJ602	RENESAS	获取价格	20A, 60V, 0.107ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SJ602(0)-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ602(0)-S-AZ

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