2SJ602-ZJ

更新时间： 2024-11-17 22:21:47

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	83K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2SJ602-ZJ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.107 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ602-ZJ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ602

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SJ602 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for solenoid, motor and lamp driver.

PART NUMBER

2SJ602

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SJ602-S

FEATURES

2SJ602-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 73 mΩ MAX. (V^GS= −10 V, I^D= −10 A)

R^DS(on)2= 107 mΩ MAX. (V^GS= −4.0 V, I^D= −10 A)

• Low input capacitance:

Note

TO-220SMD

2SJ602-Z

Note TO-220SMD package is produced only in

Japan

C^iss= 1300 pF TYP. (V^DS= −10 V, V^GS= 0 V)

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

−60

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

P^T

1.5

150

(TO-262)

Tch

°C

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note2

Tstg

−55 to +150

−20

I^AS

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= −30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= −20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14647EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark ★ shows major revised points.

2000, 2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ602-ZJ-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2SJ602-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	20A, 60V, 0.107ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN
2SJ602-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ602-ZJ-E1-AZ
2SJ603	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ603	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SJ603	RENESAS	获取价格	25A, 60V, 0.075ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SJ603(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,25A I(D),TO-220AB
2SJ603(0)-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ603(0)-S-AZ
2SJ603(0)-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,25A I(D),TO-263ABVAR
2SJ603(0)-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ603(0)-ZJ-AZ

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