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2SJ603-ZJ-AZ

更新时间： 2024-11-21 13:04:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	81K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN

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2SJ603-ZJ-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	62.5 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ603-ZJ-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ603

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SJ603 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for solenoid, motor and lamp driver.

PART NUMBER

2SJ603

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SJ603-S

FEATURES

2SJ603-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 48 mΩ MAX. (V^GS= −10 V, I^D= −13 A)

R^DS(on)2= 75 mΩ MAX. (V^GS= −4.0 V, I^D= −13 A)

• Low input capacitance:

Note

TO-220SMD

2SJ603-Z

Note TO-220SMD package is produced only in

Japan.

C^iss= 1900 pF TYP. (V^DS= −10 V, V^GS= 0 V)

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

−60

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

P^T

1.5

150

(TO-262)

Tch

°C

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note2

Tstg

−55 to +150

−25

I^AS

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

62.5

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= −30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= −20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14648EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark ★ shows major revised points.

2000, 2001

12 3 4 5 6 7 8

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2SJ604	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SJ604(0)-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ604(0)-S-AZ
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