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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.27 | 雪崩能效等级（Eas）： | 123 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 45 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 45 A | 最大漏源导通电阻： | 0.043 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ604(0)-S-AZ | RENESAS |
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2SJ604(0)-S-AZ |
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| 2SJ604(0)-Z-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,45A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SJ604(0)-Z-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,45A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SJ604-AZ | RENESAS |
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Power MOSFETs for Automotive, , / |
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| 2SJ604-S | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ604-S-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2SJ604-Z | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ604-Z-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2SJ604-ZJ | RENESAS |
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45A, 60V, 0.043ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| 2SJ604-ZJ | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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