2SJ605-Z

更新时间： 2024-11-19 22:21:47

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	86K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ605-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.15	雪崩能效等级（Eas）：	203 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	65 A
最大漏源导通电阻：	0.031 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ605-Z 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ605

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SJ605 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SJ605

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SJ605-S

FEATURES

2SJ605-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 20 mΩ MAX. (V^GS= –10 V, I^D= –33 A)

R^DS(on)2= 31 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –33 A)

• Low input capacitance

2SJ605-Z

TO-220SMD^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

C^iss= 4600 pF TYP. (V^DS= –10 V, V^GS= 0 A)

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

–60

m 20

m 65

m 200

100

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

(TO-262)

P^T

1.5

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150 °C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

–45

203

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= –30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= –20 →0 V

(TO-263, TO-220SMD)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D14650EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published May 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ! shows major revised points.

2000

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与2SJ605-Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ605-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2SJ605-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,65A I(D),TO-263ABVAR
2SJ605-ZJ	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ605-ZJ	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
2SJ605-ZJ-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2SJ605-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ605-ZJ-E2-AZ
2SJ606	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SJ606	RENESAS	获取价格	83A, 60V, 0.023ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SJ606	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ606(0)-Z-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR

与2SJ605-Z相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ605-Z

2SJ605-Z 技术参数

2SJ605-Z 数据手册

与2SJ605-Z相关器件

与2SJ605-Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ605-Z

2SJ605-Z 技术参数

2SJ605-Z 数据手册

与2SJ605-Z相关器件

与2SJ605-Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？