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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | TO-220 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.16 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 160 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 83 A | 最大漏极电流 (ID)： | 83 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ606-Z-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SJ606-Z-E1-AZ | RENESAS |
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Pch Single Power Mosfet -60V -83A 15Mohm Mp-25Z/To-220Smd, MP-25Z, /Embossed Tape |
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| 2SJ606-Z-E2-AZ | RENESAS |
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Pch Single Power Mosfet -60V -83A 15Mohm Mp-25/To-220Ab, MP-25, /Embossed Tape |
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| 2SJ606-ZJ | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ606-ZJ | RENESAS |
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83A, 60V, 0.023ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| 2SJ606-ZJ | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |
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| 2SJ606-ZJ-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SJ606-ZJ-AZ | RENESAS |
获取价格 |
83A, 60V, 0.023ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| 2SJ606-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SJ606-ZJ-E1-AZ |
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| 2SJ606-ZJ-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SJ606-ZJ-E2-AZ |
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