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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 160 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 83 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 83 A | 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ606-S-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SJ606-Z | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ606-Z | RENESAS |
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83A, 60V, 0.023ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN |
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| 2SJ606-Z-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SJ606-Z-E1-AZ | RENESAS |
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Pch Single Power Mosfet -60V -83A 15Mohm Mp-25Z/To-220Smd, MP-25Z, /Embossed Tape |
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| 2SJ606-Z-E2-AZ | RENESAS |
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Pch Single Power Mosfet -60V -83A 15Mohm Mp-25/To-220Ab, MP-25, /Embossed Tape |
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| 2SJ606-ZJ | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ606-ZJ | RENESAS |
获取价格 |
83A, 60V, 0.023ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| 2SJ606-ZJ | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |
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| 2SJ606-ZJ-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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