2SJ606

更新时间： 2024-10-29 22:21:47

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2SJ606 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	83 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ606 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ606

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SJ606 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

PART NUMBER

2SJ606

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SJ606-S

FEATURES

2SJ606-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 15 mΩ MAX. (V^GS= −10 V, I^D= −42 A)

R^DS(on)2= 23 mΩ MAX. (V^GS= −4.0 V, I^D= −42 A)

• Low input capacitance:

Note

TO-220SMD

2SJ606-Z

Note TO-220SMD package is produced only in

Japan

C^iss= 4800 pF TYP. (V^DS= −10 V, V^GS= 0 V)

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

−60

300

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

120

P^T

1.5

150

(TO-262)

Tch

°C

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note2

Tstg

−55 to +150

−40

I^AS

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

160

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= −30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= −20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14654EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark ★ shows major revised points.

2000, 2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ606(0)-Z-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR
2SJ606(0)-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR
2SJ606(0)-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ606(0)-ZJ-AZ
2SJ606(0)-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ606(0)-ZJ-E1-AZ
2SJ606(0)-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ606(0)-ZJ-E2-AZ
2SJ606-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2SJ606-S	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ606-S	RENESAS	获取价格	83A, 60V, 0.023ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
2SJ606-S-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SJ606-Z	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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