2SJ605-S

更新时间： 2024-11-17 22:21:47

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	86K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2SJ605-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.27	雪崩能效等级（Eas）：	203 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	65 A
最大漏源导通电阻：	0.031 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ605-S 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ605

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SJ605 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SJ605

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SJ605-S

FEATURES

2SJ605-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 20 mΩ MAX. (V^GS= –10 V, I^D= –33 A)

R^DS(on)2= 31 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –33 A)

• Low input capacitance

2SJ605-Z

TO-220SMD^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

C^iss= 4600 pF TYP. (V^DS= –10 V, V^GS= 0 A)

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

–60

m 20

m 65

m 200

100

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

(TO-262)

P^T

1.5

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150 °C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

–45

203

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= –30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= –20 →0 V

(TO-263, TO-220SMD)

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D14650EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published May 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ! shows major revised points.

2000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ605-S-AZ	RENESAS	获取价格	65A, 60V, 0.031ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, TO-262, 3 PIN
2SJ605-Z	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ605-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2SJ605-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,65A I(D),TO-263ABVAR
2SJ605-ZJ	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ605-ZJ	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
2SJ605-ZJ-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2SJ605-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ605-ZJ-E2-AZ
2SJ606	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SJ606	RENESAS	获取价格	83A, 60V, 0.023ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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