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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.27 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.107 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ602-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
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2SJ602-ZJ-E1-AZ |
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| 2SJ603 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ603 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SJ603 | RENESAS |
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25A, 60V, 0.075ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN |
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| 2SJ603(0)-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,25A I(D),TO-220AB |
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| 2SJ603(0)-S-AZ | RENESAS |
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2SJ603(0)-S-AZ |
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| 2SJ603(0)-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,25A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SJ603(0)-ZJ-AZ | RENESAS |
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2SJ603(0)-ZJ-AZ |
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| 2SJ603(0)-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SJ603(0)-ZJ-E1-AZ |
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| 2SJ603(0)-ZJ-E2-AZ | RENESAS |
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2SJ603(0)-ZJ-E2-AZ |
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