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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.29 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 62.5 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ603-Z | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ603-Z-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2SJ603-ZJ | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ603-ZJ | RENESAS |
获取价格 |
25A, 60V, 0.075ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| 2SJ603-ZJ | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |
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| 2SJ603-ZJ-AZ | RENESAS |
获取价格 |
25A, 60V, 0.075ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
|
| 2SJ603-ZJ-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2SJ603-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SJ603-ZJ-E1-AZ |
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| 2SJ604 | RENESAS |
获取价格 |
45A, 60V, 0.043ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN |
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| 2SJ604 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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