Datasheet > 2SJ602-ZJ-AZ

2SJ602-ZJ-AZ

更新时间： 2024-11-18 21:15:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	82K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ602-ZJ-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.27
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.107 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ602-ZJ-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ602

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SJ602 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for solenoid, motor and lamp driver.

PART NUMBER

2SJ602

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SJ602-S

FEATURES

2SJ602-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 73 mΩ MAX. (V^GS= −10 V, I^D= −10 A)

R^DS(on)2= 107 mΩ MAX. (V^GS= −4.0 V, I^D= −10 A)

• Low input capacitance:

Note

TO-220SMD

2SJ602-Z

Note TO-220SMD package is produced only in

Japan

C^iss= 1300 pF TYP. (V^DS= −10 V, V^GS= 0 V)

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

−60

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

P^T

1.5

150

(TO-262)

Tch

°C

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note2

Tstg

−55 to +150

−20

I^AS

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= −30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= −20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14647EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark ★ shows major revised points.

2000, 2001

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与2SJ602-ZJ-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ602-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ602-ZJ-E1-AZ
2SJ603	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ603	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SJ603	RENESAS	获取价格	25A, 60V, 0.075ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SJ603(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,25A I(D),TO-220AB
2SJ603(0)-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ603(0)-S-AZ
2SJ603(0)-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,25A I(D),TO-263ABVAR
2SJ603(0)-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ603(0)-ZJ-AZ
2SJ603(0)-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ603(0)-ZJ-E1-AZ
2SJ603(0)-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ603(0)-ZJ-E2-AZ

与2SJ602-ZJ-AZ相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ602-ZJ-AZ

2SJ602-ZJ-AZ 技术参数

2SJ602-ZJ-AZ 数据手册

与2SJ602-ZJ-AZ相关器件

与2SJ602-ZJ-AZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ602-ZJ-AZ

2SJ602-ZJ-AZ 技术参数

2SJ602-ZJ-AZ 数据手册

与2SJ602-ZJ-AZ相关器件

与2SJ602-ZJ-AZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？