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2SJ600-Z-AZ

更新时间： 2024-11-20 17:48:47

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	157K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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2SJ600-Z-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AB
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.3
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.079 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ600-Z-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ600

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SJ600 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

PART NUMBER

PACKAGE

for solenoid, motor and lamp driver.

2SJ600

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SJ600-Z

FEATURES

• Low on-state resistance:

R^DS(on)1= 50 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –13 A)

R^DS(on)2= 79 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –13 A)

• Low input capacitance:

C^iss= 1900 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V)

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-251)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (TA = 25°C)

Channel Temperature

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

T^ch

T^stg

I^AS

–60

m20

m25

m70

°C

1.0

150

(TO-252)

Storage Temperature

–55 to +150

–25

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

62.5

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = –30 V, RG = 25 Ω, VGS = –20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D14645EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2000, 2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SJ601	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SJ601	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SJ601(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,36A I(D),TO-251VAR
2SJ601(0)-Z-AZ	RENESAS	获取价格	Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3Z/TO-252
2SJ601(0)-Z-E1-AY	RENESAS	获取价格	Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3Z/TO-252
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2SJ601-Z	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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