2SJ600-Z

更新时间： 2024-11-17 21:55:31

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关
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4页	43K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SJ600-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-252, MP-3Z, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	140 pF	JEDEC-95代码：	TO-252AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ600-Z 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ600

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SJ600 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for solenoid, motor and lamp driver.

PART NUMBER

2SJ600

PACKAGE

TO-251

2SJ600-Z

TO-252

FEATURES

• Low on-state resistance:

R^DS(on)1= 50 mΩ MAX. (V^GS= –10 V, I^D= –13 A)

R^DS(on)2= 79 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –13 A)

• Low C^iss: C^iss= 1900 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-251)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

–60

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

(TO-252)

P^T

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150 °C

Single Avalanche Current ^Note2

I^AS

–25

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

62.5

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, R^G= 25 Ω, V^GS= –20 V → 0 V

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Document No.

Date Published November 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14645EJ1V0DS00 (1st edition)

2000

12 3 4

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与2SJ600-Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ600-Z-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ601	RENESAS	获取价格	36000mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251, TO-251, MP-3, 3 PIN
2SJ601	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SJ601	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SJ601(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,36A I(D),TO-251VAR
2SJ601(0)-Z-AZ	RENESAS	获取价格	Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3Z/TO-252
2SJ601(0)-Z-E1-AY	RENESAS	获取价格	Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3Z/TO-252
2SJ601-AZ	RENESAS	获取价格	Pch Single Power MOSFET -60V -36A 31mohm MP-3/TO-251
2SJ601-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ601-Z	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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