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2SJ494-AZ

更新时间： 2024-09-13 19:53:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	71K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.088ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SJ494-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.088 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ494-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS

2SJ494

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

PACKAGE DIMENSIONS

DESCRIPTION

(in millimeter)

This product is P-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

4.5±0.2

10.0±0.3

3.2±0.2

2.7±0.2

FEATURES

•

Super Low On-State Resistance

R^DS(on)1= 50 m: Max. (V^GS= –10 V, I^D= –10 A)

R^DS(on)2= 88 m: Max. (V^GS= –4 V, I^D= –10 A)

Low C^issC^iss= 2360 pF Typ.

•

Built-in Gate Protection Diode

2.5±0.1

0.7±0.1

2.54

1.3±0.2

1.5±0.2

2.54

0.65±0.1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage*

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

V^DSS

–60

1. Gate

2. Drain

3. Source

–

V^{GSS (AC)}

V^{GSS (DC)}

I^{D (DC)}

+20

2 3

–20, 0

–

+20

ISOLATED TO-220 (MP-45F)

–

Drain Current (pulse)**

I^{D (pulse)}

+80

Total Power Dissipation (T^C= 25 °C) P^T

Total Power Dissipation (T^A= 25 °C) P^T

2.0

150

°C

Drain

Channel Temperature

Storage Temperature

T^ch

T^stg

–55 to +150 °C

Body

Diode

Gate

* f = 20 kHz, Duty Cycle d 10% (+Side)

** PW d 10 Ps, Duty Cycle d 1%

Gate Protection

Diode

Source

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

R^{th (ch-C)}

R^{th (ch-A)}

3.57 °C/W

62.5 °C/W

Channel to Ambient

The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this

device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage

may be applied to this device.

Document No. D11266EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published January 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ495	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SJ495-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SJ496	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ496	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SJ496_11	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ496TZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ497	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Junct
2SJ498	ISAHAYA	获取价格	FIELD-EFFECT TRANSISTOR
2SJ498B	ISAHAYA	获取价格	Transistor
2SJ498C	ISAHAYA	获取价格	暂无描述

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