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2SJ502

更新时间： 2024-10-30 12:56:15

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体开关晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	295K
描述
Ultrahigh-speed switching

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2SJ502 数据手册

SMD Type

Product specification

2SJ502

Features

Package Dimensions

· Low ON-resistance.

· Ultrahigh-speed switching.

· 4V drive.

unit:mm

2091A

[2SJ502]

0.4

0.16

3

0 to 0.1

2

1

0.95

0.95

1.9

2.9

1 : Gate

2 : Source

3 : Drain

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

V

V

–30

±20

–0.5

–2.0

0.25

150

DSS

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

V

V

GSS

I

A

D

PW≤10µs, duty cycle≤1%

Drain Current (Pulse)

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

I

A

DP

P

D

Tch

W

˚C

˚C

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

–30

max

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Zero-Gate Voltage Drain Current

Gate-to-Source Leakage Current

Cutoff Voltage

V

I

=–1mA, V =0

D GS

V

(BR)DSS

I

V

V

V

V

I

=–30V, V =0

–10

µA

µA

V

DSS

DS

GS

DS

DS

GS

I

=±16V, V =0

DS

±10

GSS

V

=–10V, I =–1mA

D

=–10V, I =–300mA

D

=–300mA, V =–10V

GS

=–300mA, V =–4V

GS

–1.0

300

–2.5

GS(off)

| yfs |

Forward Transfer Admittance

800

mS

mΩ

mΩ

R

1

360

690

600

970

DS(on)

DS(on)

D

Static Drain-to-Source On-State Resistance

R

2

I

D

1 of 1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1

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