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2SJ502

更新时间： 2024-10-29 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 173K
描述
Ultrahigh-Speed Switching Applications

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2SJ502 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A最大漏极电流 (ID)：0.5 A
最大漏源导通电阻：0.97 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ502 数据手册

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Ordering number:ENN6178A  
P-Channel Silicon MOSFET  
2SJ502  
Ultrahigh-Speed Switching Applications  
Features  
Package Dimensions  
· Low ON-resistance.  
· Ultrahigh-speed switching.  
· 4V drive.  
unit:mm  
2091A  
[2SJ502]  
0.4  
0.16  
3
0 to 0.1  
2
1
0.95  
0.95  
1.9  
2.9  
1 : Gate  
2 : Source  
3 : Drain  
SANYO : CP  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
–30  
±20  
V
V
DSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
GSS  
I
–0.5  
A
D
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
I
–2.0  
A
DP  
P
D
Tch  
0.25  
W
˚C  
˚C  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
–30  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=–1mA, V =0  
D GS  
V
(BR)DSS  
I
V
V
V
V
I
=–30V, V =0  
–10  
µA  
µA  
V
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
I
=±16V, V =0  
DS  
±10  
GSS  
V
=–10V, I =–1mA  
D
=–10V, I =–300mA  
D
=–300mA, V =–10V  
GS  
=–300mA, V =–4V  
GS  
–1.0  
300  
–2.5  
GS(off)  
| yfs |  
Forward Transfer Admittance  
800  
mS  
mΩ  
mΩ  
R
1
360  
690  
600  
970  
DS(on)  
DS(on)  
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
2
I
D
Marking : FM  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
81000TS (KOTO) TA-2363 No.6178–1/4  
1234

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.036ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3

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