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2SJ506(S)

更新时间： 2024-01-16 13:06:49

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
10页	52K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.18ohm, SC-64, 3 PIN

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2SJ506(S) 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-64
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
最大漏源导通电阻：	0.18 Ω	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

2SJ506(S) 数据手册

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2SJ506(L), 2SJ506(S)

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-548

Target Specification 1st. Edition

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.065 Ω typ. (at V_GS= –10V, I_D= –5A)

Low drive current

•

•

•

High speed switching

4V gate drive devices.

Outline

DPAK–2

4

4

D

1

2

3

G

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

1

2

3

S

12 3 4 5 6 7...10

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与2SJ506(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ506(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ506(S)TR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ506(S)TR	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SJ506L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ506L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ506L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格

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