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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.14 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ506L-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ506S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SJ506S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ506S | KEXIN |
获取价格 |
Hight Speed Power Switching |
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| 2SJ506STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ506STR-E | RENESAS |
获取价格 |
Pch Single Power MOSFET -30V -10A 85mohm DPAK(S)/TO-252 |
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| 2SJ507 | TOSHIBA |
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P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
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| 2SJ507_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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| 2SJ508 | TOSHIBA |
获取价格 |
P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
|
| 2SJ508(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1A I(D),SOT-89 |
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