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2SJ501

更新时间： 2024-02-17 22:47:11

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TYSEMI		晶体开关晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	444K
描述
Ultrahigh-speed switching

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2SJ501 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ501 数据手册

SMD Type

Product specification

2SJ501

Features

Package Dimensions

· Low ON-resistance.

· Ultrahigh-speed switching.

· 2.5V drive.

unit:mm

2091A

[2SJ501]

0.4

0.16

0 to 0.1

0.95

1.9

2.9

1 : Gate

2 : Source

3 : Drain

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Drain-to-Source Voltage

–20

±10

–0.5

–2.0

0.25

150

DSS

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

GSS

PW≤10µs, duty cycle≤1%

Drain Current (Pulse)

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Tch

˚C

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

–20

max

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Zero-Gate Voltage Drain Current

Gate-to-Source Leakage Current

Cutoff Voltage

=–1mA, V =0

D GS

µA

(BR)DSS

=–20V, V =0

–10

DSS

=±8V, V =0

±10

GSS

=–10V, I =–1mA

=–10V, I =–300mA

=–300mA, V =–4V

=–50mA, V =–2.5V

–0.5

0.2

–1.5

GS(off)

| yfs |

Forward Transfer Admittance

1.0

420

630

600

mΩ

DS(on)

Static Drain-to-Source On-State Resistance

1000

1 of 1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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