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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1615
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2SD1615

更新时间： 2024-11-17 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD

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2SD1615 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-62包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.22
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：81JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：160 MHzBase Number Matches：1

2SD1615 数据手册

 浏览型号2SD1615的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1615的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD1615的Datasheet PDF文件第4页 
DATA SHEET  
SILICON TRANSISTORS  
2SD1615, 2SD1615A  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS  
POWER MINI MOLD  
DESCRIPTION  
2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power am plifier and switching application, especially  
in Hybrid Integrated Circuits.  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS  
•
•
World Standard Miniature Package  
Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V  
in m illim eters  
•
Com plem ent to 2SB1115, 2SD1115A  
4.5± 0.1  
1.6± 0.2  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
1.5± 0.1  
Maxim um Voltages and Currents (T  
Collector to Base Voltage  
Collector to Em itter Voltage  
Em itter to Base Voltage  
A
= 25 ˚C) 2SD1615 2SD1615A  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
60  
50  
120  
60  
V
V
A
A
A
6
1
2
C
B
Collector Current (DC)  
E
Collector Current (Pulse)*  
Maxim um Power Dissipation  
Total Power Dissipation  
at 25 ˚C Am bient Tem perature** PT  
Maxim um Tem peratures  
IC  
0.42  
0.42± 0.06  
± 0.06  
0.47  
1.5  
± 0.06  
+ 0.03  
– 0.05  
2.0  
W
0.41  
3.0  
J unction Tem perature  
Storage Tem perature Range  
Tj  
Tstg  
150  
–55 to +150  
˚C  
˚C  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
* PW ≤ 10 m s, Duty Cycle ≤ 50 %  
** When m ounted on ceram ic substrate of 16 cm 2 × 0.7 m m  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT  
TEST CONDITIONS  
VCB = 60 V, IE = 0  
VCB = 120 V, IE = 0  
Collector Cutoff Current  
ICBO  
100  
100  
100  
600  
400  
nA  
nA  
nA  
2SD1615  
2SD1615A  
Em itter Cutoff Current  
DC Current Gain  
IEBO  
VEB = 6.0 V, IC = 0  
hFE1***  
135  
135  
81  
290  
2SC1615  
VCE = 2.0 V, IC = 100 m A  
2SD1615A  
DC Current Gain  
hFE2***  
VCE(sat)***  
VBE(sat)***  
VBE***  
fT  
270  
0.15  
0.9  
VCE = 2.0 V, IC = 1.0 A  
IC = 1.0 A, IB = 50 m A  
IC = 1.0 A, IB = 50 m A  
VCE = 2.0 V, IC = 50 m A  
Collector Saturation Voltage  
Base Saturation Voltage  
Base to Em itter Voltage  
Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
0.3  
1.2  
V
V
600  
80  
700  
m V  
160  
19  
MHz VCE = 2.0 V, IE = –100 m A  
CB = 10 V, I = 0, f = 1.0 MHz  
C
ob  
pF  
V
E
*** Pulsed: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2 %  
hFE Classification  
MARKING  
2SD1615  
GM  
GQ  
GL  
GK  
2SD1615A  
GP  
h FE  
135 to 270  
200 to 400  
300 to 600  
Document No. D10198EJ3V0DSD0 (3rd edition)  
(Previous No. TC-5810A)  
Date Published June 1995 P  
Printed in Japan  
1985  
©
1234

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2SD1615 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BST50,115 NXP

功能相似

 BST50; BST51; BST52 - NPN Darlington transistors SOT-89 3-Pin
2SC5053 ROHM

功能相似

 Medium Power Transistor (-50V, -1A)
2SC4540 TOSHIBA

功能相似

 NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)

与2SD1615相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1615_15 KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SD1615A RENESAS

获取价格

 		1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SD1615A TYSEMI

获取价格

 		World Standard Miniature Package. Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V
2SD1615A KEXIN

获取价格

 		NPN Silicon Epitaxial Transistor
2SD1615A NEC

获取价格

 		NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD
2SD1615A_15 KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SD1615AGP ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243
2SD1615A-GP RENESAS

获取价格

 		1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SD1615AGQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243
2SD1615A-GQ RENESAS

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 		1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN

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