2SD1616

更新时间： 2024-02-20 10:34:43

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WEITRON		晶体晶体管
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NPN Transistors

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2SD1616 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SC-43B, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1616 数据手册

2SD1616

2SD1616A

NPN Transistors

TO-92

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Ta=25 C)

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

2SD16116

2SD1616A

Unit

Vdc

Adc

120

CEO

CBO

6.0

1.0

EBO

0.75

150

Total Device Dissipation T =25 C

Junction Temperature

Storage,Temperature

-55 to +150

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

Unit

2SD1616

2SD1616A

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 2.0 mAdc, I =0)

Vdc

(BR)CEO

2SD1616

2SD1616A

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage (I = 10 uAdc, I =0)

(BR)CBO

120

Emitter-Base Breakdown Voltage (I = 10 uAdc, I =0)

(BR)EBO

6.0

uAdc

0.1

Collector Cutoff Current (V =60 Vdc, I =0)

CBO

Emitter Cutoff Current (V = 6.0 V c, I =0)

EBO

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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