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2SD1615AGQ PDF预览

2SD1615AGQ

更新时间： 2024-01-19 13:33:43
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243

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2SD1615AGQ 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.24外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：135
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：160 MHz
Base Number Matches：1

2SD1615AGQ 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTORS  
2SD1615, 2SD1615A  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS  
POWER MINI MOLD  
DESCRIPTION  
2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid  
Integrated Circuits.  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS  
•
•
World Standard Miniature Package  
Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V  
in millimeters  
•
Complement to 2SB1115, 2SD1115A  
4.5±0.1  
1.5±0.1  
1.6±0.2  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Maximum Voltages and Currents (T  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
A
= 25°C)  
2SD1615 2SD1615A  
VCBO  
60  
50  
120  
60  
V
V
V
A
A
VCEO  
VEBO  
IC  
C
6
1
2
E
B
Collector Current (DC)  
0.42  
Collector Current (Pulse)  
Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation  
at 25°C Ambient Temperature  
Maximum Temperatures  
IC  
0.42±0.06  
±0.06  
0.47  
±0.06  
3.0  
1.5  
+0.03  
0.41– 0.05  
PT  
2.0  
W
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
Tstg  
150  
–55 to +150  
°C  
°C  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%  
When mounted on ceramic substrate of 16 cm2 × 0.7 mm  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT  
TEST CONDITIONS  
VCB = 60 V, IE = 0  
VCB = 120 V, IE = 0  
Collector Cutoff Current  
ICBO  
100  
100  
100  
600  
400  
nA  
nA  
nA  
2SD1615  
2SD1615A  
VEB = 6.0 V, IC = 0  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
IEBO  
hFE1  
135  
135  
81  
290  
2SC1615  
VCE = 2.0 V, IC = 100 mA  
2SD1615A  
DC Current Gain  
hFE2  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
270  
0.15  
0.9  
VCE = 2.0 V, IC = 1.0 A  
IC = 1.0 A, IB = 50 mA  
IC = 1.0 A, IB = 50 mA  
VCE = 2.0 V, IC = 50 mA  
Collector Saturation Voltage  
Base Saturation Voltage  
Base to Emitter Voltage  
Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
0.3  
1.2  
700  
V
V
600  
80  
mV  
fT  
160  
19  
MHz VCE = 2.0 V, IE = –100 mA  
Cob  
pF  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
Pulsed: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2 %  
hFE Classification  
MARKING  
2SD1615  
GM  
GQ  
GL  
GK  
2SD1615A  
GP  
hFE  
135 to 270  
200 to 400  
300 to 600  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Document No. D10198EJ4V0DS00 (4th edition)  
Date Published December 2000 N CP(K)  
Printed in Japan  
1985  
©
1234

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与2SD1615AGQ相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SD1615A-GQ RENESAS 1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN

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