2SD1616

更新时间： 2024-01-07 16:43:14

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描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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2SD1616 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SC-43B, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1616 数据手册

UTC 2SD1616/A

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

NPN EPITAXIAL SILICON

TRANSISTOR

DESCRIPTION

*Audio frequency power amplifier

*Medium speed switching

TO-92

1: EMITTER 2: COLLECTOR 3: BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

Tstg

VALUE

UNIT

°C

Storage Temperature

-55 ~+150

Junction Temperature

150

750

120

°C

Total Power Dissipation (Ta=25°C)

Collector to Base Voltage: D1616

D1616A

VCBO

Collector to Emitter Voltage: D1616

D1616A

VCEO

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

VEBO

Collector Current (*Pulse)

Note: (*) Pulse width≤10ms, Duty cycle<50%

CHARACTERISTICS (Ta=25°C)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

SYMBOL

ICBO

IEBO

TEST CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

VCB=60V

VEB= 6V

100

0.3

Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT)

IC=1A, IB=50mA

VCE=2V, IC=50mA

VCE=2V, IC=100mA

0.15

0.9

Base-Emitter Saturation Voltage

Base Emitter On Voltage

DC Current Gain: D1616

D1616A

VBE(SAT)

VBE(ON)

hFE1

1.2

600

135

640

700

600

400

hFE2

VCE=2V, IC=1A

VCE=2V, IC=100mA

VCB=10V, f=1MHz

VCE=10V, IC=100mA

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

100

160

MHz

Cob

ton

Turn On Time

0.07

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R201-008,A

12 3

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