是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SC-43B, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.65 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 81 |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 160 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SD1616A-AB3-R | UTC |
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Transistor | |
2SD1616AG | UTC |
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Transistor | |
2SD1616AG(SOT-89) | UTC |
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Transistor | |
2SD1616A-G03-K | UTC |
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Transistor | |
2SD1616A-G-AB3-B | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
2SD1616A-G-AB3-K | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
2SD1616A-G-AB3-R | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
2SD1616A-G-AB3-T | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
2SD1616A-G-G03-B | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
2SD1616A-G-G03-K | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |