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2SD1616A

更新时间： 2024-02-23 20:08:16
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 341K
描述
NPN Plastic-Encapsulated Transistor

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2SD1616A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SC-43B, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.58最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：160 MHz
Base Number Matches：1

2SD1616A 数据手册

 浏览型号2SD1616A的Datasheet PDF文件第2页 
2SD1616A  
1A , 120V  
NPN Plastic-Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
TO-92  
FEATURES  
Power dissipation  
A
D
Millimeter  
REF.  
Min.  
Max.  
4.70  
4.70  
-
3.81  
0.56  
0.51  
B
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
0.36  
CLASSIFICATION OF hFE (1)  
Product-Rank 2SD1616A-L 2SD1616A-K 2SD1616A-U  
E
F
Range 135~270 200~400 300~600  
1.27 TYP.  
1.10  
2.42  
0.36  
-
2.66  
0.76  
K
G
H
Emitter  
Collector  
Base  
J
Collector  
  
  
Base  
  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
120  
V
V
60  
6
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction, Storage Temperature  
1
A
PC  
750  
mW  
°C  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ. Max.  
Unit  
Test Condition  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut – Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
120  
-
-
-
V
V
IC=10μA, IE=0  
IC=2mA, IB=0  
60  
-
6
-
-
V
IE=10μA, IC=0  
VCB=60V, IE=0  
VEB=6V, IC=0  
-
-
0.1  
0.1  
600  
-
μA  
μA  
Emitter Cut – Off Current  
IEBO  
-
-
hFE (1)  
hFE (2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
135  
-
VCE=2V, IC=100mA  
VCE=2V, IC=1A  
IC=1A, IB=50mA  
IC=1A, IB=50mA  
VCE=2V, IC=50mA  
DC Current Gain  
81  
-
Collector to Emitter Saturation Voltage*  
Base to Emitter Saturation Voltage*  
Base to Emitter Voltage*  
Transition Frequency  
Collector Output Capacitance  
Turn on time  
-
-
0.3  
1.2  
0.7  
-
V
V
V
-
-
0.6  
-
fT  
100  
-
MHz VCE=2V, IC=100mA  
Cob  
-
-
-
-
-
19  
-
pF  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
ton  
0.07  
0.95  
0.07  
VCC=10V, IC=100mA,  
Storage time  
tS  
-
μs  
IB1=-IB2=10mA  
Fall time  
tF  
-
*pulse test: PW≦350μs, σ≦2%.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
12-Apr-2011 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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