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2SD1616

更新时间： 2024-01-30 20:38:42

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永而佳 - WINNERJOIN		晶体晶体管
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描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SD1616 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SC-43B, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1616 数据手册

RoHS

2SD1616

TRANSISTOR (NPN)

TO-92

FEATURE

Power dissipation

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BSAE

P_CM:

0.75 W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= 10µA , I_E=0

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 2 mA , I_B=0

I_E= 10µA, I_C=0

V_CB= 60V, I_E=0

0.1

600

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=6 V, I_C=0

h_FE1

V_CE=2 V, I_C= 100mA

V_CE=2 V, I_C= 1A

I_C= 1A, I_B=50mA

V_CE= 2V, I_C=50mA

V_CE=2 V, I_C= 100mA

V_CE=10V,I_E= 0, f=1MHz

135

DC current gain

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage *

Base-emitter saturation voltage *

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

0.3

1.2

0.7

Base-emitter voltage

Transition frequency

Output capacitance

Turn on time

f_T

100

MHz

C_ob

t_on

0.07 typ

0.95 typ

0.07 typ

V_cc=10V,I_C=100mA,I_B1=-I_B2=

10Ma

Storage time

t_S

V_be(off)=-2~ -3V

Fall time

t_F

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

*pulse test: PW≤350µS, δ≤2%.

CLASSIFICATION OF h_FE1

Rank

Range

135-270

200-400

300-600

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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