2SD1615A

更新时间： 2024-11-17 22:52:47

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	52K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD

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2SD1615A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	81
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	2 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2SD1615A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTORS

2SD1615, 2SD1615A

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

POWER MINI MOLD

DESCRIPTION

2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power am plifier and switching application, especially

in Hybrid Integrated Circuits.

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

World Standard Miniature Package

Low V^{CE (sat)}VCE(sat) = 0.15 V

in m illim eters

•

Com plem ent to 2SB1115, 2SD1115A

4.5± 0.1

1.6± 0.2

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

1.5± 0.1

Maxim um Voltages and Currents (T

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

= 25 ˚C) 2SD1615 2SD1615A

VCBO

V^CEO

VEBO

I^C

120

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)*

Maxim um Power Dissipation

Total Power Dissipation

at 25 ˚C Am bient Tem perature** P^T

Maxim um Tem peratures

I^C

0.42

0.42± 0.06

± 0.06

0.47

1.5

± 0.06

+ 0.03

– 0.05

2.0

0.41

3.0

J unction Tem perature

Storage Tem perature Range

T^j

T^stg

150

–55 to +150

˚C

1. Emitter

2. Collector

3. Base

* PW ≤ 10 m s, Duty Cycle ≤ 50 %

** When m ounted on ceram ic substrate of 16 cm ²× 0.7 m m

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

CHARACTERISTIC

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT

TEST CONDITIONS

VCB = 60 V, IE = 0

VCB = 120 V, IE = 0

Collector Cutoff Current

ICBO

100

600

400

2SD1615

2SD1615A

Em itter Cutoff Current

DC Current Gain

IEBO

VEB = 6.0 V, IC = 0

hFE1***

135

290

2SC1615

VCE = 2.0 V, IC = 100 m A

2SD1615A

DC Current Gain

hFE2***

VCE(sat)***

VBE(sat)***

VBE***

270

0.15

0.9

VCE = 2.0 V, IC = 1.0 A

IC = 1.0 A, IB = 50 m A

VCE = 2.0 V, IC = 50 m A

Collector Saturation Voltage

Base Saturation Voltage

Base to Em itter Voltage

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

0.3

1.2

600

700

m V

160

MHz VCE = 2.0 V, IE = –100 m A

CB = 10 V, I = 0, f = 1.0 MHz

*** Pulsed: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2 %

h^FEClassification

MARKING

2SD1615

2SD1615A

h FE

135 to 270

200 to 400

300 to 600

Document No. D10198EJ3V0DSD0 (3rd edition)

(Previous No. TC-5810A)

Date Published June 1995 P

Printed in Japan

1985

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1615A_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1615AGP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-243
2SD1615A-GP	RENESAS	获取价格	1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SD1615AGQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-243
2SD1615A-GQ	RENESAS	获取价格	1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SD1615A-P	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1615A-Q	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1615A-T1	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI
2SD1615A-T1GP	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
2SD1615A-T1GQ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL

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